EasyGaN

EasyGaN is a startup providing epitaxy solutions to unleash the full potential of GaN-on-Silicon technology. Located in Sophia Antipolis, EasyGaN is a CRHEA-CNRS spin-off, an internationally recognized Research Center with 20+ years of experience in the epitaxial growth of GaN. We develop advanced substrates for the GaN on Silicon semiconductor market using Molecular Beam Epitaxy (MBE). Our first product is a very thin high-quality Aluminium Nitride (AlN) layer grown on top of a silicon wafer. This so-called ''AlN template'' is already available and is currently being tested by customers as ideal starting point for their GaN epitaxy. In addition, we are currently developing an ultra-thin GaN on Silicon epiwafer for the Radio Frequency 5G millimeter wave device market.

EasyGaN est une start-up spécialisée dans la fourniture de solutions d'épitaxie pour libérer le plein potentiel de la technologie GaN-sur-Silicium. Situé à Sophia Antipolis, EasyGaN est un spin-off du CRHEA-CNRS, un centre de recherche internationalement reconnu avec plus de 20 ans d'expérience dans l'épitaxie de GaN. Nous développons des substrats avancés pour le marché du semi-conducteur GaN sur Silicium à l'aide de Molecular Beam Epitaxy (MBE). Notre premier produit est une couche très mince et de haute qualité d'Aluminium Nitride (AlN) posée sur un wafer de silicium. Cette template AlN-sur-Si est déjà disponible et est actuellement testée par nos clients comme point de départ idéal pour leur épitaxie GaN. En outre, nous sommes actuellement en développement d'un epiwafer ultra-mince GaN sur Silicium pour le marché des composants RF 5G millimétriques. SEO : Templates AlN-sur-Si et HEMT GaN-sur-Silicium pour les fréquences radio 5G millimétriques.